Aby zmienić wartość komórki do " 0 " Wymaga to ciekawy proces zwany Fowler-Nordheim tunelowania. Tunelowy jest używany aby zmienić położenie elektronów w bramie pływającej. Ładunek elektryczny, zwykle pomiędzy 10 i 13 wolt, to stosuje się do bramy pływającej. Opłata pochodzi z kolumny lub bitline, wchodzi do bramy i kanalizacji pływający do ziemi. Największa
Ta opłata powoduje floating-tranzystor zachowuje się jak brama wyrzutni elektronowej. Wzbudzone ujemnie naładowane elektrony są popychane przez i zatrzymywane na drugiej stronie warstwy tlenku, która uzyskuje ładunek ujemny. Elektrony działa jako bariera pomiędzy bramką sterującą i brama pływającej. Urządzenie zwany czujnik komórek monitoruje poziom ładunku przechodzącą przez bramę pływającej. Jeżeli strumień przez bramę jest większy niż pięćdziesiąt procent zużycia, ma wartość cali do 1. " Jeżeli opłata przejściu przez spadnie poniżej progu pięćdziesiąt procent, zmiany wartości " 0. ". Największa pamięci Flash używa Fowlera-Nordheim tunnelingto zmienić rozmieszczenie elektronów
elektrony w komórkach Flash -memory układ może zostać zwrócony do normalnego (cali do 1 cali do) za pomocą przyłożenia pola elektrycznego, a za wyższego napięcia. Pamięć flash wykorzystuje okablowanie w obwodzie, aby zastosować tę pola elektrycznego albo cały układ lub wcześniej określonych sekcjach zwanych bloków. Usuwa docelowej powierzchni chipa, który może być przepisany. . Pamięci flash działa znacznie szybciej niż tradycyjne kasowana elektrycznie programowalna pamięć tylko do odczytu (EEPROM) chipsy bo zamiast kasowania jeden bajt na raz, to kasuje blok lub cały układ Solid-State Największa: Karty Największa
Urządzenia pamięci Flash, takich jak karty pamięci CompactFlash lub SmartMedia są dziś najbardziej rozpowszechnioną formą elektronicznej pamięci nieulotnej. Karty CompactFlash zostały opracowane przez firmę SanDisk w 1994 roku i są one różne od kart SmartMedia na dwa sposoby:. Są one grubsze, a oni wykorzystują ch
